Аспирантка Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН Алина Герасимова стала лауреаткой конкурса мэрии Новосибирска на присуждение премии в сфере науки и инноваций, сообщили в пресс-службе ИФП СО РАН. Её научная работа посвящена синтезу соединений, которые используются при создании элементов энергонезависимой резистивной памяти. Последняя может совмещать в себе свойства флэш-памяти: сохранение информации без подключения к источнику энергии, высокую скорость работы, характерную для динамической (оперативной) памяти и большой информационный объём.

― Я выращивала тонкие полупроводниковые пленки оксида гафния, циркония и тантала переменного (нестехиометрического) состава ― HfOx, ZrOx и TaOx. Эти материалы перспективны для создания резистивной памяти ReRAM. Благодаря использованию методов рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, спектральной эллипсометрии, дифракции быстрых электронов и высокоразрешающей электронной микроскопии мне удалось установить и описать взаимосвязь между условиями роста и химическим составом, структурой и оптическими свойствами плёнок нестехиометрических оксидов металлов, ― объясняет младший научный сотрудник ИФП СО РАН Алина Герасимова.

По ее словам, новые сведения позволят лучше понять процессы, происходящие в активном слое ячеек памяти ReRAM, что поможет оптимизировать технологию изготовления и улучшить их характеристики.

Отмечается, что конкурс на присуждение премии мэрии города Новосибирска в сфере науки и инноваций проводится ежегодно в целях стимулирования научной, научно-технической и инновационной деятельности. Размер премии составляет сто тысяч рублей. Среди получателей этого года 30 молодых исследователей, 15 из них ― сотрудники Сибирского отделения РАН.

Фото предоставлено пресс-службой ИФП СО РАН, автор фото Евгения Цаценко