Сегодня, в Москве, на общем собрании  Российской академии наук объявлены результаты выборов новых членов РАН. Заведующий лабораторией Института физики полупроводников им А.В. Ржанова СО РАН доктор наук, профессор Дмитрий Харитонович Квон (Квон Зе Дон) избран членом-корреспондентом РАН.

Дмитрий Квон — ученый с мировым именем. Он занимается исследованиями низкоразмерных электронных систем и наноструктур, сейчас — это одна из бурно развивающихся областей физики конденсированного состояния, сообщили в пресс-службе ИФП СО РАН.

— Дмитрием Харитоновичем с коллегами, была открыта новая разновидность двумерных электронных систем — двумерный полуметалл. Отличительная особенность этого полуметалла — перекрытие зон и, как следствие, одновременное существование двумерных электронов и дырок. Впервые реализован переход двумерный металл — двумерный полуметалл, и показано, как электронно-дырочное рассеяние Ландау приводит к росту сопротивления фермиевской системы, — говорится в пресс-релизе. — Наряду с этим, научной группой, под руководством Дмитрия Квона, получены принципиально важные результаты для физики как двумерных, так и трехмерных топологических изоляторов. В частности, установлено, что теллурид ртути — единственный материал, на основе которого можно получить оба отмеченных типа топологических изоляторов.

Топологические изоляторы — это изоляторы, поверхность которых является двумерным или одномерным металлом. Соответственно, они способны проводить спин-поляризованный электрический ток по своей поверхности, тогда как в объеме нет никакого тока. Возможно, указанное свойство топологических изоляторов найдет применение при конструировании и производстве интегральных схем будущего.

Также научная группа Дмитрия Квона обнаружила ряд особенностей транспортного и фотоэлектрического отклика, отражающих все особенности, связанные с основным свойством топологических изоляторов — наличием поверхностных Дираковских состояний с жесткой топологической связью спина и импульса электрона.